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# 电池电流限制（BCL）

<a id="bcl-hardware" />

# 配置电池过流和欠压告警

Qualcomm PMIC 电池电流限制（BCL）硬件监控驱动可实时检测电池过流（放电）和欠压情况。该驱动直接集成到 Qualcomm PMIC 中，通过响应破坏性的电气事件，在保护电池和整个系统方面发挥着关键作用。

BCL 硬件使用具有可配置阈值的专用感应通道监控电池电压和电流。它支持多个告警级别，每个级别对应一条独立的中断线。

**表：BCL 告警功能**

| 告警         | 阈值级别    | 中断线                    |
| ---------- | ------- | ---------------------- |
| 级别 0（LVL0） | 最大/最小阈值 | 映射到 `hwmon min/max`    |
| 级别 1（LVL1） | 临界阈值    | 映射到 `hwmon lcrit/crit` |

BCL 硬件以两种不同模式运行：

**表：BCL 模式**

| BCL 模式         | 说明          |
| -------------- | ----------- |
| 电池 PMIC 中的 BCL | 同时支持欠压和过流监控 |
| 核心 PMIC 中的 BCL | 仅支持欠压监控     |

## `sysfs` 属性

驱动加载后，会检测系统上存在的传感器，并在 `/sys/class/hwmon/hwmon<X>/` 下创建相应的 `sysfs` 属性，其中 `<X>` 是根据系统中其他 `hwmon` 设备的存在情况和顺序分配的索引。

### 电池 PMIC 属性

电池 PMIC（例如 PM7250B）中的 BCL 支持以下属性：

**表：电池 PMIC 中支持的 BCL 属性**

| PMIC 名称            | 权限      | 说明                |
| ------------------ | ------- | ----------------- |
| `curr1_input`      | 只读（RO）  | 电流，单位为毫安（mA）      |
| `curr1_label`      | RO      | 电流传感器标签           |
| `curr1_max`        | 读/写（RW） | 级别 0 电流阈值，单位为 mA  |
| `curr1_max_alarm`  | RO      | 级别 0 高电流告警状态      |
| `curr1_crit`       | RW      | 级别 1 电流阈值，单位为 mA  |
| `curr1_crit_alarm` | RO      | 级别 1 高电流告警状态      |
| `in0_input`        | RO      | 电压，单位为毫伏（mV）      |
| `in0_label`        | RO      | 电压传感器标签           |
| `in0_min`          | RW      | 级别 0 低电压阈值，单位为 mV |
| `in0_min_alarm`    | RO      | 级别 0 低电压告警状态      |
| `in0_lcrit`        | RW      | 级别 1 低电压阈值，单位为 mV |
| `in0_lcrit_alarm`  | RO      | 级别 1 低电压告警状态      |

> **注意**
>
> * 超过阈值时，告警属性会自动更新。
> * 阈值可以在运行时通过 RW 属性进行配置。

以下是电池 PMIC 的 `sysfs` 结构示例：

```text theme={null}
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_crit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_crit_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_input
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_max
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_max_alarm
lrwxrwxrwx 1 root root    0 Jan  1 00:05 device -> ../../../c440000.spmi:pmic@8:bcl@1d00
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_input
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_lcrit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_lcrit_alarm
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_min
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_min_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 name
```

### 核心 PMIC 属性

核心 PMIC（例如 PM8350C）中的 BCL 支持以下属性：

**表：核心 PMIC 中支持的 BCL 属性**

| PMIC 名称           | 权限 | 说明                |
| ----------------- | -- | ----------------- |
| `in0_label`       | RO | 电压传感器标签           |
| `in0_min`         | RW | 级别 0 低电压阈值，单位为 mV |
| `in0_min_alarm`   | RO | 级别 0 低电压告警状态      |
| `in0_lcrit`       | RW | 级别 1 低电压阈值，单位为 mV |
| `in0_lcrit_alarm` | RO | 级别 1 低电压告警状态      |

> **注意**
>
> * 超过阈值时，告警属性会自动更新。
> * 阈值可以在运行时通过 RW 属性进行配置。

以下是核心 PMIC 的 `sysfs` 结构示例：

```text theme={null}
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_lcrit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_lcrit_alarm
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_min
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_min_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 name
lrwxrwxrwx 1 root root    0 Jan  1 00:03 of_node ->
```

要了解有关 Qualcomm PMIC BCL 的更多信息，请参见 [Patch series of Qualcomm PMIC BCL](https://lore.kernel.org/all/20260206-qcom-bcl-hwmon-v1-0-7b426f0b77a1@oss.qualcomm.com/)。

## 后续步骤

* [配置热区](./configure-a-thermal-zone)
* [使用风扇控制器调节温度](./regulate-temperature-with-fan-controller)
* [配置 ThermalD](./thermalD)