配置电池过流和欠压告警

Qualcomm PMIC 电池电流限制（BCL）硬件监控驱动可实时检测电池过流（放电）和欠压情况。该驱动直接集成到 Qualcomm PMIC 中，通过响应破坏性的电气事件，在保护电池和整个系统方面发挥着关键作用。 BCL 硬件使用具有可配置阈值的专用感应通道监控电池电压和电流。它支持多个告警级别，每个级别对应一条独立的中断线。 表：BCL 告警功能

告警	阈值级别	中断线
级别 0（LVL0）	最大/最小阈值	映射到 `hwmon min/max`
级别 1（LVL1）	临界阈值	映射到 `hwmon lcrit/crit`

BCL 硬件以两种不同模式运行： 表：BCL 模式

BCL 模式	说明
电池 PMIC 中的 BCL	同时支持欠压和过流监控
核心 PMIC 中的 BCL	仅支持欠压监控

`sysfs` 属性

驱动加载后，会检测系统上存在的传感器，并在 /sys/class/hwmon/hwmon<X>/ 下创建相应的 sysfs 属性，其中 <X> 是根据系统中其他 hwmon 设备的存在情况和顺序分配的索引。

电池 PMIC 属性

电池 PMIC（例如 PM7250B）中的 BCL 支持以下属性： 表：电池 PMIC 中支持的 BCL 属性

PMIC 名称	权限	说明
`curr1_input`	只读（RO）	电流，单位为毫安（mA）
`curr1_label`	RO	电流传感器标签
`curr1_max`	读/写（RW）	级别 0 电流阈值，单位为 mA
`curr1_max_alarm`	RO	级别 0 高电流告警状态
`curr1_crit`	RW	级别 1 电流阈值，单位为 mA
`curr1_crit_alarm`	RO	级别 1 高电流告警状态
`in0_input`	RO	电压，单位为毫伏（mV）
`in0_label`	RO	电压传感器标签
`in0_min`	RW	级别 0 低电压阈值，单位为 mV
`in0_min_alarm`	RO	级别 0 低电压告警状态
`in0_lcrit`	RW	级别 1 低电压阈值，单位为 mV
`in0_lcrit_alarm`	RO	级别 1 低电压告警状态

注意

超过阈值时，告警属性会自动更新。

阈值可以在运行时通过 RW 属性进行配置。

以下是电池 PMIC 的 sysfs 结构示例：

-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_crit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_crit_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_input
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_max
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 curr1_max_alarm
lrwxrwxrwx 1 root root    0 Jan  1 00:05 device -> ../../../c440000.spmi:pmic@8:bcl@1d00
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_input
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_lcrit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_lcrit_alarm
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_min
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 in0_min_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:05 name

核心 PMIC 属性

核心 PMIC（例如 PM8350C）中的 BCL 支持以下属性： 表：核心 PMIC 中支持的 BCL 属性

PMIC 名称	权限	说明
`in0_label`	RO	电压传感器标签
`in0_min`	RW	级别 0 低电压阈值，单位为 mV
`in0_min_alarm`	RO	级别 0 低电压告警状态
`in0_lcrit`	RW	级别 1 低电压阈值，单位为 mV
`in0_lcrit_alarm`	RO	级别 1 低电压告警状态

注意

超过阈值时，告警属性会自动更新。

阈值可以在运行时通过 RW 属性进行配置。

以下是核心 PMIC 的 sysfs 结构示例：

-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_label
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_lcrit
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_lcrit_alarm
-rw-r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_min
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 in0_min_alarm
-r--r--r-- 1 root root 4096 Jan  1 00:03 name
lrwxrwxrwx 1 root root    0 Jan  1 00:03 of_node ->

要了解有关 Qualcomm PMIC BCL 的更多信息，请参见 Patch series of Qualcomm PMIC BCL。

简介

架构

关键文档

技术

系统

发行说明

电池电流限制（BCL）

配置电池过流和欠压告警

`sysfs` 属性

电池 PMIC 属性

核心 PMIC 属性

后续步骤

​配置电池过流和欠压告警

​sysfs 属性

​电池 PMIC 属性

​核心 PMIC 属性

​后续步骤

配置电池过流和欠压告警

`sysfs` 属性

电池 PMIC 属性

核心 PMIC 属性

后续步骤